Transformador de unidad de puerta IGBT

Página optimizada del detalle del producto: transformador de unidad de puerta IGBT

Introducción
Los transformadores de la unidad de puerta son componentes críticos en las unidades de frecuencia variable (VFD), lo que permite un aislamiento galvánico seguro entre las etapas del inversor IGBT y los circuitos de control de bajo voltaje. Diseñados con núcleos toroidales nanocristalinos, nuestros transformadores IGBT ofrecen una alta densidad de potencia de conmutación en paquetes ultra-compactos al tiempo que minimizan la huella de PCB. Con un aislamiento reforzado (> 5KVRMS) y una capacitancia de acoplamiento ultra bajo (<3pf), estos transformadores aseguran un cambio confiable en entornos DV/DT altos y soportan los voltajes de extinción de corona que exceden los estándares de la industria.

Especificaciones clave

• Voltaje de aislamiento : rango de trabajo de 500-1200V (reforzado por IEC 61800-5-1)

• Capacitancia de acoplamiento : <3pf (reduce la propagación de EMI)

• Voltaje de extinción de corona :> 2 × voltaje de funcionamiento

• Rango de temperatura : -40 ℃ a +105 ℃ (operación/almacenamiento)

• Opciones de montaje : paquetes THT/SMT para diseños de alta densidad

• Personalización : Relación de giros ajustables y producto de tiempo de voltaje

Aplicaciones
Integrar con inductores de potencia y filtro EMC - módulos EMI/RFI en:

• VFD industrial : motores de ascensor, controladores de bombas, maquinaria CNC

• Energía renovable : convertidores de turbinas eólicas, inversores de granja solar

• Sistemas de tracción : transmisores EV, propulsión ferroviaria

• SMPS de alta potencia : UPS, equipo de soldadura con retroalimentación de sensores aislados

• RF Power Systems : amplificadores GaN emparejados con componentes de microondas RF

Ventajas de diseño

1. Transferencia de potencia optimizada espacial
   Los núcleos nanocristalinos permiten huellas 50% más pequeñas que las soluciones de ferrita. Ideal para la ubicación conjunta con transformadores de alta frecuencia en convertidores en etapas múltiples.

2. Conmutación inmune de ruido
   La tecnología de devanado de blindaje triple elimina la interferencia en modo común. Combine con el filtro EMC - Filtros EMI/RFI para el cumplimiento completo de VFD.

3. Alta inmunidad DV/DT
   <10ns El retraso de propagación evita el brote IGBT a los bordes transitorios de> 50kV/μs. Mejorado por RF Inductor Snubber Networks.

4. Flexibilidad de integración personalizada
   Producto de tiempo de voltaje de adaptación (10-100V · μs) y la relación de giros (1: 1 a 1: 2) para topologías únicas. Admite diseños de transformadores de unidad de puerta personalizados .

   ¿Por qué elegir nuestros transformadores IGBT?
   Para los ingenieros que desarrollan VFD medianos/de alta potencia, nuestros transformadores de unidad de puerta resuelven desafíos críticos:

   • Habilitar un alto aislamiento en circuitos intermedios de 1200V

   • Extender la vida útil del sensor bloqueando bucles de tierra

   • Reducir los costos de la redacción 30% frente a soluciones discretas

   • Exceder IEC 61800-5-1 Seguridad con aislamiento reforzado

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